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恭喜江阴长电先进封装有限公司陈海杰获国家专利权

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龙图腾网恭喜江阴长电先进封装有限公司申请的专利晶圆级封装方法及晶圆级封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115132594B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210762392.X,技术领域涉及:H01L21/56;该发明授权晶圆级封装方法及晶圆级封装结构是由陈海杰;胡震;刘昊宇设计研发完成,并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

晶圆级封装方法及晶圆级封装结构在说明书摘要公布了:本发明提供一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构,晶圆级封装方法包括如下步骤:在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆边缘的无效区相对应的区域成型至少一圈封边层;在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆中包围芯片功能区的外围区相对应的区域成型支撑层;利用支撑层以及封边层将所述器件晶圆与所述保护层相键合,所述支撑层与所述保护层形成收容器件的空腔;达到防渗漏的作用,可以保护器件晶圆中的器件区的正面不受污染,提高良率。

本发明授权晶圆级封装方法及晶圆级封装结构在权利要求书中公布了:1.一种晶圆级封装方法,其特征在于:包括如下步骤:提供一器件晶圆,所述器件晶圆具有器件区、位于器件区边缘的无效区,所述器件区具有若干芯片功能区、包围芯片功能区的外围区;在器件晶圆的键合面和或保护层的键合面上与器件晶圆边缘的无效区相对应的区域成型至少一圈封边层;在器件晶圆的键合面和或保护层的键合面上与器件晶圆的外围区相对应的区域成型支撑层;利用支撑层以及封边层将所述器件晶圆与所述保护层相键合,所述支撑层与所述保护层形成收容器件的空腔,所述封边层密封所述保护层与所述器件晶圆边缘的无效区之间的间隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江阴长电先进封装有限公司,其通讯地址为:214400 江苏省无锡市江阴市长山大道78号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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