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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利一种消除线阵CCD光敏区台阶金属层残留的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210716254.8，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权一种消除线阵CCD光敏区台阶金属层残留的方法是由张故万;姜华男;袁安波;李佳;皮晓静设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种消除线阵CCD光敏区台阶金属层残留的方法在说明书摘要公布了：本发明属于线阵CCD的制作领域，具体涉及一种消除线阵CCD光敏区台阶金属层残留的方法；所述方法包括首先光刻台阶金属层，然后采取湿法腐蚀台阶金属层，为了防止金属边缘沾蚀，采取套刻方法，第1次套刻台阶金属层，继续湿法腐蚀剩余金属，然后第2次套刻台阶金属层，最终再采用干法刻蚀台阶金属层并消除表面硅渣颗粒，本发明工艺稳定可靠重复性好，提升了产品的制作质量，满足了用户要求，方案可行可靠，生产该产品实现了片内、片间和批间的稳定性、重复性和一致性，能提供用户满意的产品，具有潜在的经济和社会效益。

本发明授权一种消除线阵CCD光敏区台阶金属层残留的方法在权利要求书中公布了：1.一种消除线阵CCD光敏区台阶金属层残留的方法，其特征在于，所述方法包括：S1、在线阵CCD的硅片上涂覆光刻胶增附剂后，涂覆光刻胶，在光刻机上曝光台阶金属层图形，对曝光后的光刻胶进行显影完成第一次光刻；S2、将第一次光刻后的硅片送入烘箱进行坚膜，采用湿法金属腐蚀液对台阶金属层进行腐蚀，腐蚀完成后，去除光刻胶，并进行有机清洗；S3、对经过步骤S2清洗后的硅片上涂覆光刻胶增附剂后，涂覆光刻胶，在光刻机上套刻曝光同一台阶金属层图形，采用套刻的方式对曝光后的光刻胶进行显影完成第二次光刻；S4、将第二次光刻后的硅片送入烘箱进行坚膜，采用湿法金属腐蚀液对台阶金属层进行腐蚀，腐蚀完成后，去除光刻胶，并进行有机清洗；S5、对经过步骤S4清洗后的硅片上涂覆光刻胶增附剂，涂覆光刻胶，在光刻机上套刻曝光同一台阶金属层图形，采用套刻的方式对曝光后的光刻胶进行显影完成第三次光刻；S6、在刻蚀机上对第三次光刻后的硅片上的台阶金属层残渣采用干法刻蚀，刻蚀完成后，去除光刻胶，并进行有机清洗。

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