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恭喜镓特半导体科技(上海)有限公司罗晓菊获国家专利权

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龙图腾网恭喜镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利斜切角的测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115060205B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210654634.3,技术领域涉及:G01B15/00;该发明授权斜切角的测量方法是由罗晓菊;特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧设计研发完成,并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

斜切角的测量方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种斜切角的测量方法,包括:提供待测衬底;于待测衬底的表面选择扫描点;使用XRD单晶测试仪基于扫描点对待测衬底的预设晶面进行摇摆曲线扫描,以得到量测值;对XRD单晶测试仪进行调整设置,使得用于对待测衬底进行摇摆曲线扫描的入射光仅在待测衬底的表面发生发射,而未发生衍射;使用调整设置后的XRD单晶测试仪对待测衬底的预设晶面进行摇摆曲线扫描,以得到放置偏差;基于量测值及放置偏差,得到待测衬底的斜切角。上述斜切角的测量方法中,可以得到精准的斜切角。

本发明授权斜切角的测量方法在权利要求书中公布了:1.一种斜切角的测量方法,其特征在于,包括:提供待测衬底;于所述待测衬底的表面选择扫描点;使用XRD单晶测试仪基于所述扫描点对所述待测衬底的预设晶面进行摇摆曲线扫描,以得到量测值;对所述XRD单晶测试仪进行调整设置,使得用于对所述待测衬底进行摇摆曲线扫描的入射光仅在所述待测衬底的表面发生反射,而未发生衍射;使用调整设置后的XRD单晶测试仪对所述待测衬底的所述预设晶面进行摇摆曲线扫描,以得到放置偏差;基于所述量测值及所述放置偏差,得到所述待测衬底的斜切角。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人镓特半导体科技(上海)有限公司,其通讯地址为:200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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