恭喜京东方科技集团股份有限公司王玮获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210529109.9，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置是由王玮;张方振;王锦谦;任锦宇;高志坤;秦斌;王新星;牛亚男;周婷婷;牛菁;孙双设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置。发光二极管器件包括蓝色子像素区域和至少一个非蓝色子像素区域，发光二极管器件包括发光结构层和反射层，发光结构层包括位于各子像素区域且依次叠层设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；反射层位于发光结构层的一侧，反射层包括第一反射结构和至少一个第二反射结构，第一反射结构位于蓝色子像素区域，第二反射结构位于非蓝色子像素区域，第二反射结构对蓝光的反射率大于第一反射结构对蓝光的反射率。本公开的技术方案，可以减少蓝光伤害。
本发明授权一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管器件，其特征在于，包括蓝色子像素区域和至少一个非蓝色子像素区域，所述发光二极管器件包括发光结构层和反射层，所述发光结构层包括位于各子像素区域且依次叠层设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；所述反射层位于所述发光结构层的一侧，所述反射层包括第一反射结构和至少一个第二反射结构，所述第一反射结构位于所述蓝色子像素区域，所述第二反射结构位于所述非蓝色子像素区域，所述第一反射结构对蓝光的反射率小于所述第二反射结构对蓝光的反射率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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