恭喜曼特磁性器件有限公司托马斯·温兹利克获国家专利权
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龙图腾网恭喜曼特磁性器件有限公司申请的专利阻尼膜和制造阻尼膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117158121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280028817.2，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权阻尼膜和制造阻尼膜的方法是由托马斯·温兹利克设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻尼膜和制造阻尼膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种阻尼膜10，特别是一种用于屏蔽电子设备免受电场和或磁场影响的阻尼膜10，特别是一种用于屏蔽具有无线充电组件的电子设备免受电场和或磁场影响的阻尼膜10，该阻尼膜具有第一载体层20；第一粘附层30，该第一粘附层与该第一载体层20直接接触；阻尼层40，该阻尼层与该第一粘附层30直接接触，其中该阻尼层40具有由软磁物质组成的阻尼材料；第二粘附层50，该第二粘附层与阻尼层40直接接触，特别是在该阻尼层40的背离该第一粘附层30的一面上与其直接接触；和第二载体层60，该第二载体层与该第二粘附层50直接接触。
本发明授权阻尼膜和制造阻尼膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种阻尼膜10，所述阻尼膜10用于屏蔽电子设备免受电场和或磁场影响或者用于屏蔽具有无线充电组件的电子设备免受电场和或磁场影响，所述阻尼膜具有：-第一载体层20；-第一粘附层30，所述第一粘附层与所述第一载体层20直接接触；-阻尼层40，所述阻尼层与所述第一粘附层30直接接触，其中所述阻尼层40具有由软磁物质组成的阻尼材料42；-第二粘附层50，所述第二粘附层与所述阻尼层40直接接触，其中，所述第二粘附层在所述阻尼层40的背离所述第一粘附层30的一面上与其直接接触；和-第二载体层60，所述第二载体层与所述第二粘附层50直接接触，其特征在于，所述阻尼材料42具有小于或等于2Am的矫顽场强，并且所述阻尼材料42具有大于或等于1T的饱和磁通密度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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