恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司王旭峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅快闪存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823684B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210433719.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权分栅快闪存储单元及其制备方法是由王旭峰;于涛;李冰寒设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本分栅快闪存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；第一分栅结构和第二分栅结构，位于所述衬底上，且均包括第一浮栅、第二浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述第一浮栅的部分顶面，所述第二浮栅覆盖所述第一浮栅的侧面并向上延伸覆盖所述擦除栅的侧面，且所述第二浮栅与所述第一浮栅直接接触；源线层，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间的所述衬底上，且两个所述第二浮栅分别覆盖所述源线层的一个侧面；源区，位于所述源线层下方的衬底内，且与所述源线层电性连接。本发明能够简化互连工艺和制备工艺、降低互连接触电阻及利于缩小分栅快闪存储单元面积。
本发明授权分栅快闪存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅快闪存储单元，其特征在于，包括：衬底；第一分栅结构和第二分栅结构，位于所述衬底上，且均包括第一浮栅、第二浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述第一浮栅的部分顶面，所述第二浮栅覆盖所述第一浮栅的侧面并向上延伸覆盖所述擦除栅的侧面，且所述第二浮栅与所述第一浮栅直接接触；源线层，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间的所述衬底上，且两个所述第二浮栅分别覆盖所述源线层的一个侧面；源区，位于所述源线层下方的所述衬底内，且与所述源线层电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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