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龙图腾网恭喜效能光子私人有限责任公司申请的专利光子集成电路及包括该光子集成电路的光电系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115128736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210290005.7，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权光子集成电路及包括该光子集成电路的光电系统是由H·茨杰克汉斯设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本光子集成电路及包括该光子集成电路的光电系统在说明书摘要公布了：本公开涉及一种光子集成电路1，包括基于InP的衬底2和介电平面化层5，该基于InP的衬底2设有第一基于InP的光波导3和相邻的第二基于InP的光波导4，该介电平面化层5至少布置在第一光波导与第二光波导之间。至少在第一光波导与相邻的第二光波导之间，介电平面化层设有凹槽6，该凹槽被布置为减少或防止第一光波导与第二光波导之间经由介电平面化层的光学相互作用。在凹槽位置处，介电平面化层具有朝向第一光波导倾斜布置的第一侧壁7和朝向第二光波导倾斜布置的第二侧壁8。本公开还涉及一种包括所述PIC的光电系统20。

本发明授权光子集成电路及包括该光子集成电路的光电系统在权利要求书中公布了：1.一种光子集成电路（1），包括：基于磷化铟InP的衬底（2），该基于InP的衬底（2）设有第一基于InP的光波导（3）和相邻的第二基于InP的光波导（4）；介电平面化层（5），该介电平面化层（5）至少布置在所述第一基于InP的光波导（3）与所述第二基于InP的光波导（4）之间，其中，至少在所述第一基于InP的光波导（3）与所述第二基于InP的光波导（4）之间，所述介电平面化层（5）设有：凹槽（6），该凹槽（6）被布置为减少或防止所述第一基于InP的光波导（3）与所述第二基于InP的光波导（4）之间经由所述介电平面化层（5）的光学相互作用，其中，所述凹槽（6）被布置为提供到所述基于InP的衬底（2）的入口；其中，在所述凹槽（6）的位置处，所述介电平面化层（5）具有：朝向所述第一基于InP的光波导（3）倾斜布置的第一侧壁（7）；以及朝向所述第二基于InP的光波导（4）倾斜布置的第二侧壁（8）；所述光子集成电路（1）还包括第一介电保护层（11），该第一介电保护层（11）被布置为覆盖所述介电平面化层（5）、所述介电平面化层（5）的所述第一侧壁（7）和所述第二侧壁（8），以及能够经由凹槽（6）进入的所述基于InP的衬底（2）的区域。

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