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龙图腾网恭喜苏州悉芯射频微电子有限公司申请的专利一种对温度不敏感的偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210261189.4，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种对温度不敏感的偏置电路是由陈浪;戈泽宇;陈力生;项勇设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种对温度不敏感的偏置电路在说明书摘要公布了：本发明属于射频电路技术领域，涉及一种对温度不敏感的偏置电路，包括第一至第四晶体管，第一至第七电阻以及两个直流电源。其中第一、二、三晶体管形成HBT晶体管自适应偏置的反馈环路，当第一晶体管需要放大信号时，第二、三晶体管形成反馈环路，自动将第一晶体管基区中的偏置电流调大，从而提高第一晶体管的线性度。为了使得偏置电路对环境温度不敏感，第四晶体管充当了热反馈电路进而保持整个电路的电流不随温度变化。为了使得第四晶体管不对电路造成其他影响，可以第四晶体管的基区添加电容。使得其不对电路造成其他影响，进一步减小热反馈环路对线性化反馈环路的影响。

本发明授权一种对温度不敏感的偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种对温度不敏感的偏置电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻、以及第一直流电源和第二直流电源，其中第一直流电源正极通过第六电阻、连接至第三晶体管的集电极，所述第三晶体管的发射极接地，所述第三晶体管的基极通过第二电阻和第一电阻连接至第一晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极接地，第一晶体管的集电极与外部电路相连；所述第二晶体管的发射极连接在第二电阻和第一电阻之间的公共端，第二晶体管的基极连接在第三晶体管的集电极，第二晶体管的集电极连接在第二电流源的正极；所述第四晶体管的集电极通过第七电阻连接至第二电流源的正极，第四晶体管的基极通过第五电阻连接至第三晶体管的集电极，所述第四晶体管的发射极通过第四电阻和第三电阻接地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管形成自适应偏置反馈环路，所述第三，第四，第五和第七电阻与第四晶体管形成热反馈电路。

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