恭喜台湾积体电路制造股份有限公司邓伊筌获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115196584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210140057.6，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权半导体结构及其制作方法是由邓伊筌;沈靖凯;杜荣国设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体结构。所述半导体结构包含第一衬底、半导体层、第二衬底及共晶密封结构。所述半导体层在所述第一衬底上方。所述半导体层具有至少部分穿过所述半导体层的腔。所述第二衬底在所述半导体层上方。所述第二衬底具有贯穿孔。所述共晶密封结构在所述第二衬底上且覆盖所述贯穿孔。所述共晶密封结构包括第一金属层及共晶接合在所述第一金属层上的第二金属层。本发明实施例还提供一种用于制作半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其包括：第一衬底；半导体层，其在所述第一衬底上方，所述半导体层具有至少部分穿过所述半导体层的腔；第二衬底，其在所述半导体层上方，所述第二衬底具有贯穿孔；及共晶密封结构，其在所述第二衬底上且覆盖所述贯穿孔；其中所述共晶密封结构包括第一金属层及共晶接合在所述第一金属层上的第二金属层，及其中所述第一金属层具有在所述第一金属层的顶表面处的突出部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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