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龙图腾网恭喜三星显示有限公司申请的专利量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114686233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111551199.3，技术领域涉及：C09K11/88；该发明授权量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件是由郑濬赫;朴昇元;宋政勋;李栢熙;李准宇;张宰福设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件在说明书摘要公布了：提供了量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件。量子点包括：包括与镓Ga形成合金的第III‑V族半导体化合物的核；围绕核的第一壳；和围绕第一壳的第二壳，其中第一壳包括第一化合物，所述第一化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物，第二壳包括第二化合物，第二化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物，第一化合物和第二化合物彼此不同，并且核的材料中的特定元素的原子百分数、第一壳和第二壳中的元素相对于核的比例满足一定的范围。

本发明授权量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件在权利要求书中公布了：1.一种量子点，包括：包括与镓形成合金的第III-V族半导体化合物的核；围绕所述核的第一壳；以及围绕所述第一壳的第二壳，其中所述第一壳包括第一化合物，所述第一化合物包括第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物或第III-VI族半导体化合物，所述第二壳包括第二化合物，所述第二化合物包括第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物或第III-VI族半导体化合物，并且所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，所述核中的镓相对于所述核中的Ga之外的第III族元素的原子百分数为25原子％至30原子％，所述第一壳中的第V族元素或第VI族元素相对于所述核中的所述第III族元素的原子百分数为5原子％至50原子％，并且所述第二壳中的第V族元素或第VI族元素相对于所述核中的所述第III族元素的原子百分数为5原子％至50原子％。

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