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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利离子注入机台的注入均匀性的调整方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111547680.5，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权离子注入机台的注入均匀性的调整方法是由庞宏庄;王呈辰;国子明;张凌越设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子注入机台的注入均匀性的调整方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种离子注入机台的注入均匀性的调整方法，包括：步骤S1：提供测试晶圆，将所述测试晶圆放置于所述靶盘上，所述靶盘的表面与参考面重合；步骤S2：根据预设的离子注入工艺参数对所述测试晶圆进行离子注入，并在离子注入完成后，扫描所述测试晶圆得到热波值分布图，获得所述采样点的热波值及位置，利用二次函数拟合出热波值分布曲线；步骤S3：判断所述热波值分布曲线的对称轴与所述热波值分布曲线的Y轴的距离是否小于设定值；步骤S4：根据所述采样点的热波值，判断所述测试晶圆的离子注入均匀性是否满足控制要求；本发明提高了离子注入机台的注入均匀性。

本发明授权离子注入机台的注入均匀性的调整方法在权利要求书中公布了：1.一种离子注入机台的注入均匀性的调整方法，所述离子注入机台包括多个靶盘，在进行离子注入时，所述靶盘自转且沿设定方向移动以进行线性扫描，其特征在于，包括：步骤S1：提供测试晶圆，将所述测试晶圆放置于所述靶盘上，所述靶盘的表面与参考面重合，执行步骤S2；步骤S2：根据预设的离子注入工艺参数对所述测试晶圆进行离子注入，并在离子注入完成后，扫描所述测试晶圆得到热波值分布图，选取所述测试晶圆上垂直于所述测试晶圆的缺口方向的一条直线上的多个等距分布的采样点，其中一个所述采样点对准所述缺口，剩余的所述采样点对称分布在对准所述缺口的所述采样点的两侧，获得所述采样点的热波值及位置，以对准所述缺口的所述采样点为原点，所述直线的方向为X轴，所述采样点的热波值为Y坐标，利用二次函数拟合出热波值分布曲线，执行步骤S3；步骤S3：判断所述热波值分布曲线的对称轴与所述热波值分布曲线的Y轴的距离是否小于设定值，若否，调整所述靶盘与所述参考面的夹角，返回步骤S2；若是，执行步骤S4；步骤S4：根据所述采样点的热波值，判断所述测试晶圆的离子注入均匀性是否满足控制要求，当满足时，完成所述离子注入机台的调整；当不满足时，调整所述靶盘的转速并返回步骤S2。

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