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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利3D堆叠的器件的静态随机存取存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111527193.2，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权3D堆叠的器件的静态随机存取存储器及其制造方法是由黄寅灿;全辉璨设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D堆叠的器件的静态随机存取存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括静态随机存取存储器SRAM，其包括设置在第一层和第二层中的多个晶体管。第一层包括在多个晶体管当中的第一晶体管的第一共享栅极和第二晶体管的第二共享栅极。第二层设置在第一层上方并且包括在多个晶体管当中的第三晶体管的第三共享栅极和第四晶体管的第四共享栅极。第三共享栅极设置在第一共享栅极上方，第四共享栅极设置在第二共享栅极上方。SRAM进一步包括第一共享接触、第二共享接触、连接第四共享栅极和第一共享接触的第一交叉联接接触、以及连接第三共享栅极和第二共享接触的第二交叉联接接触。

本发明授权3D堆叠的器件的静态随机存取存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：三维堆叠的静态随机存取存储器，包括设置在第一层和第二层中的多个晶体管；所述第一层包括第一晶体管的第一共享栅极和第二晶体管的第二共享栅极，所述第一晶体管和所述第二晶体管对角地设置；所述第二层设置在所述第一层上方并包括第三晶体管的第三共享栅极和第四晶体管的第四共享栅极、以及第一虚设栅极和第二虚设栅极，其中所述第三共享栅极设置在所述第一共享栅极上方，所述第四共享栅极设置在所述第二共享栅极上方，所述第一虚设栅极和所述第二虚设栅极对角地设置；第一共享接触和第二共享接触，所述第一共享接触在所述第二层中设置在所述第一虚设栅极和所述第三共享栅极之间，所述第二共享接触在所述第二层中设置在所述第二虚设栅极和所述第四共享栅极之间；第一交叉联接接触，连接所述第四共享栅极和所述第一共享接触；以及第二交叉联接接触，连接所述第三共享栅极和所述第二共享接触，其中第三电介质材料设置在所述第一虚设栅极和所述第四共享栅极之间，并且设置在所述第二虚设栅极和所述第三共享栅极之间，其中所述第一虚设栅极的一部分和所述第二虚设栅极的一部分包括第一电介质材料，其中所述第一交叉联接接触设置在所述第一虚设栅极的所述第一电介质材料和所述第四共享栅极上方从而仅电连接所述第四共享栅极和所述第一共享接触，以及其中所述第二交叉联接接触设置在所述第二虚设栅极的所述第一电介质材料和所述第三共享栅极上方，从而仅电连接所述第三共享栅极和所述第二共享接触。

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