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龙图腾网恭喜厦门市三安集成电路有限公司申请的专利GaN器件的防护结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111485518.5，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权GaN器件的防护结构及其制作方法是由蔡仙清;林科闯;刘胜厚;卢益锋;张辉;孙希国设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN器件的防护结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN器件的防护结构及其制作方法，该防护结构包括设置在GaN器件外的离子注入区以及在离子注入区上依次层叠的欧姆接触金属层和互连结构，离子注入区为有源区，离子注入区、欧姆接触金属层与最上层的互连结构的金属层下方的互连结构构成环形结构，互连结构包括介质层和金属层，介质层上设有通孔，该通孔设于欧姆接触金属层或下一层的互连结构的金属层的上表面上方，相邻两个互连结构之间通过填充在通孔内的金属层连接，并且最下层的互连结构的金属层与欧姆接触金属层连接，最上层的互连结构的金属层与GaN器件的源极焊盘连接，形成静电扩散通道，GaN器件的源极接地，因此可以释放ESD产生的电荷，提高制程中器件的良率。

本发明授权GaN器件的防护结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN器件的防护结构，其特征在于：包括在GaN外延层上形成的离子注入区以及在所述离子注入区上方依次层叠的欧姆接触金属层和多个互连结构，所述互连结构包括介质层和金属层，所述离子注入区、欧姆接触金属层以及最上层的互连结构的金属层下方的互连结构构成环绕在GaN器件外的环形结构，所述离子注入区与所述GaN器件之间为无源区，所述离子注入区为有源区，所述互连结构的介质层覆盖在其下方所有互连结构或所述欧姆接触金属层的上表面和侧壁，并在下一层的互连结构的金属层或所述欧姆接触金属层的上表面上方设有通孔，所述互连结构的金属层覆盖在所述通孔上方并与下一层的互连结构的金属层或所述欧姆接触金属层连接，最上层的互连结构的金属层与所述GaN器件的源极连接，所述最上层的互连结构的金属层包括环绕部，所述环绕部设于所述最上层的互连结构的介质层上方并在所述环形结构上方环绕构成互相间隔的两个半环形结构。

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