恭喜京东方科技集团股份有限公司宋尊庆获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管、阵列基板与显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111415586.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管、阵列基板与显示面板是由宋尊庆设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、阵列基板与显示面板在说明书摘要公布了：本公开提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示面板，薄膜晶体管包括：有源层、栅绝缘层和栅极，有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；栅绝缘层位于所述有源层的一侧；栅极位于所述栅绝缘层背离所述有源层的一侧，所述栅极包括靠近所述漏极区的第一区域、靠近所述源极区的第二区域和位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；其中，所述栅极在相同电平信号下，所述第三区域作用于所述沟道区上的电场强度，大于所述第一区域作用于所述沟道区上的电场强度。本公开提供的薄膜晶体管，能够减少薄膜晶体管的漏电。
本发明授权薄膜晶体管、阵列基板与显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；栅绝缘层，位于所述有源层的一侧；栅极，位于所述栅绝缘层背离所述有源层的一侧，所述栅极包括靠近所述漏极区的第一区域、靠近所述源极区的第二区域和位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；其中，所述栅极在相同电平信号下，所述第三区域作用于所述沟道区上的电场强度，大于所述第一区域作用于所述沟道区上的电场强度；其中，所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述有源层背离所述栅绝缘层的一侧，所述缓冲层与所述第三区域对应的厚度，大于与所述第一区域对应的厚度，以使所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第一区域与所述有源层之间的厚度大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度；或者，所述栅极在所述第一区域上形成有第一镂空部。
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