恭喜合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司陈亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116068814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111273067.9,技术领域涉及:G02F1/1343;该发明授权一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法是由陈亮;钱海蛟;汪涛;刘泽旭;柳泉洲;张瑞锋;刘建涛设计研发完成,并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种阵列基板,包括位于多条数据线和多条扫描线交叉限定出的区域内的多个子像素单元,子像素单元的电极结构包括:沿第一方向的至少一个第一支电极,第一支电极沿第二方向的宽度是a,第一支电极和相邻电极之间的间距为c,第一间隔区域的宽度为a+c;沿第一方向的至少一个第二支电极,第二支电极沿第二方向的宽度是b,第二支电极和相邻电极之间的间距为d,第二间隔区域的宽度为b+d,a不等于b和或c不等于d;第一支电极和第二支电极交替排布。本发明的实施例能够保证在曝光量波动造成第一支电极的宽度和第二支电极的宽度增大或减小时,第一间隔区域和第二间隔区域的透过率变化相反,使像素整体透过率保持较小波动。
本发明授权一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,包括多条数据线、多条扫描线以及多个子像素单元,所述多个子像素单元位于所述多条数据线和所述多条扫描线交叉限定出的区域,其特征在于,所述子像素单元的电极结构包括:沿第一方向的至少一个第一支电极,所述第一支电极沿第二方向的宽度是a,所述第一支电极和相邻电极之间的间距为c,第一间隔区域的宽度为a+c;沿第一方向的至少一个第二支电极,所述第二支电极沿第二方向的宽度是b,所述第二支电极和相邻电极之间的间距为d,第二间隔区域的宽度为b+d,a不等于b和或c不等于d;所述第一支电极和所述第二支电极交替排布;其中,|a-b|的范围在0.1-1微米,和或,|c-d|的范围在0.1-1微米,所述a的范围在1.8-3.0微米,所述b的范围在1.8-3.0微米,所述c的范围在3.0-7.0微米,所述d的范围为3.0-7.0微米,所述第一间隔区域的宽度a+c的范围在6.6-8.0微米,第二间隔区域的宽度b+d的范围在6.6-8.0微米;在曝光量波动造成第一支电极的宽度和第二支电极的宽度增大或减小时,第一间隔区域和第二间隔区域的透过率变化相反。
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