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恭喜国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司田宏波获国家专利权

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龙图腾网恭喜国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司申请的专利具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114005890B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111226933.9,技术领域涉及:H10F77/20;该发明授权具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法是由田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华设计研发完成,并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法,硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形;硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔,电极贯穿孔内填充有导电材料;设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线,电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连;设置于硅异质结主体下表面的导电图形,电极贯穿孔的下端与导电图形相连,导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形,相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连,提高组件良率和可靠性,可最大限度地提高焊接性和导电性,有利于保证组件长期可靠性。

本发明授权具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池,其特征在于,包括:硅异质结主体,所述硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔,所述电极贯穿孔内填充有导电材料;设置于所述硅异质结主体上表面和下表面的栅线,所述电极贯穿孔的上端与所述硅异质结主体上表面的栅线相连;设置于所述硅异质结主体下表面的导电图形,所述电极贯穿孔的下端与所述导电图形相连,所述导电图形适于与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连;所述栅线包括多根主栅线和多根细栅线,多根所述主栅线相互平行,多根所述细栅线相互平行,所述主栅线和所述细栅线相互垂直;所述电极贯穿孔均与所述硅异质结主体上表面的所述主栅线相连,所述电极贯穿孔为多个,多个所述电极贯穿孔与多个所述主栅线一一对应,多个所述电极贯穿孔与其对应的所述主栅线的相对位置均相同;所述硅异质结主体包括:硅片;分别设置于所述硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜和下表面的第二本征非晶硅薄膜;分别设置于所述第一本征非晶硅薄膜上表面的第一掺杂非晶硅薄膜和所述第二本征非晶硅薄膜下表面的第二掺杂非晶硅薄膜;分别设置于所述第一掺杂非晶硅薄膜上表面的第一TCO薄膜和所述第二掺杂非晶硅薄膜下表面的第二TCO薄膜,所述栅线分别设在所述第一TCO薄膜的上表面和所述第二TCO薄膜的下表面;所述第二TCO薄膜的表面还设有隔离区,所述导电图形位于所述隔离区内;所述电极贯穿孔内部及孔周围上下表面均以本征非晶硅薄膜进行钝化,所述电极贯穿孔内部及隔离区表面均无发射极非晶硅薄膜沉积。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司,其通讯地址为:102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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