恭喜清华大学谢丹获国家专利权
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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一维二硒化铂纳米带的制备方法及制备的二硒化铂纳米带获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111211600.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一维二硒化铂纳米带的制备方法及制备的二硒化铂纳米带是由谢丹;王怀鹏;孙翊淋;刘志方;任天令设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一维二硒化铂纳米带的制备方法及制备的二硒化铂纳米带在说明书摘要公布了：公开一种一维二硒化铂纳米带的制备方法，能够同时实现大规模、高质量制备和自取向制备。其包括：1在SiO2Si衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，使用电子束曝光产生纳米带图形；2使用显影液溶解曝光部分的PMMA，并用定影液去除残留的显影液；3使用电子束蒸发在衬底上淀积一层金属铂，使用无水丙酮溶解PMMA，将非纳米带区域的金属铂剥离掉，得到金属铂纳米带；4将金属铂纳米带放置于管式炉的中间位置，在上游位置放置硒源，将硒源加热到220～300℃；5密封管式炉的腔体并抽真空后，以流量为40～70sccm的氮气为载气，将腔体升温至420～500℃持续一小时后，自然冷却至室温，得到二硒化铂纳米带。
本发明授权一维二硒化铂纳米带的制备方法及制备的二硒化铂纳米带在权利要求书中公布了：1.一维二硒化铂纳米带的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：1在SiO2Si衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，使用电子束曝光产生纳米带图形；2使用显影液溶解曝光部分的PMMA，并用定影液去除残留的显影液；3使用电子束蒸发在衬底上淀积一层金属铂，使用无水丙酮溶解PMMA，将非纳米带区域的金属铂剥离掉，得到金属铂纳米带；4将金属铂纳米带放置于管式炉的中间位置，在上游位置放置硒源，将硒源加热到220～300℃；5密封管式炉的腔体并抽真空后，以流量为40～70sccm的氮气为载气，将腔体升温至420～500℃持续一小时后，自然冷却至室温，得到二硒化铂纳米带。
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