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龙图腾网恭喜北京英孚瑞半导体科技有限公司申请的专利一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111203804.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法是由杨志茂;王斌设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，在衬底上依次生长缓冲层、吸收层、带宽渐变层、电荷控制层、倍增层、腐蚀截止层和盖层；然后腐蚀盖层，形成中央集电区和环绕中央集电区的电场保护环，腐蚀停止在腐蚀截止层的上表面；然后在被腐蚀区域二次外延生成InP阻隔层，然后在电场保护环外围的InP阻隔层之上形成一圈环形的SiO2隔离层，之后积光学减反膜，并在n型InP中央集电区上方的光学减反膜上开出金属接触窗口；之后利用光刻胶形成上电极和金属打线板，上电极通过金属接触窗口与中央集电区接触，上电极上具有一光学入射窗口，光学入射窗口在中央集电区的上方。

本发明授权一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：在p型InP衬底上依次生长p型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、In1-x-yAlxGayAs带宽渐变层、p型In0.52Al0.48As电荷控制层、In0.52Al0.48As倍增层、InxGa1-xAsyP1-y腐蚀截止层和n型InP盖层；步骤二：利用SiO2图形化硬掩模，利用腐蚀的方法腐蚀n型InP盖层，剩余的n型InP盖层形成n型InP中央集电区和环绕n型InP中央集电区的n型InP电场保护环，腐蚀停止在InxGa1-xAsyP1-y腐蚀截止层的上表面；所述n型InP中央集电区为圆形，位于中间区域，所述n型InP电场保护环环绕在n型InP中央集电区外围并且二者之间具有间隔；步骤三：利用步骤二中相同的SiO2硬掩模图形，在步骤二被腐蚀区域二次外延生成InP阻隔层；二次外延之后，利用腐蚀的方法，腐蚀掉SiO2硬掩模，从而得到平坦的表面，即，使n型InP中央集电区、n型InP电场保护环和二次外延的InP阻隔层的表面齐平；步骤四：在步骤三得到的n型InP中央集电区、n型InP电场保护环和InP阻隔层的平坦表面上淀积SiO2层，然后利用光刻胶图形化掩模刻蚀掉部分区域的SiO2，使得在n型InP电场保护环外围的InP阻隔层之上形成一圈环形的SiO2隔离层；步骤五：在n型InP中央集电区、n型InP电场保护环、InP阻隔层以及SiO2隔离层的表面上淀积光学减反膜，利用腐蚀的方法在n型InP中央集电区上方的光学减反膜上开出一个环形的金属接触窗口；步骤六：利用光刻胶形成上电极金属和金属打线板图形，蒸镀金属并进行金属剥离，得到图形化的上电极和金属打线板；上电极通过步骤五中所述的金属接触窗口与n型InP中央集电区接触，并退火形成欧姆接触；金属打线板位于SiO2隔离层的正上方；所述上电极上具有一光学入射窗口，光学入射窗口在n型InP中央集电区的上方；步骤七：将p型InP衬底背面减薄、抛光后，在其下表面制备背电极，并退火形成欧姆接触。

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