恭喜台湾积体电路制造股份有限公司徐煌仁获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利对准标记的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782474B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111069547.3，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权对准标记的制作方法及半导体结构是由徐煌仁;苏正熹;刘坤明;谢子逸;巫丰印设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本对准标记的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本揭露描述了对准标记的制作方法及半导体结构，用于在晶圆上制作对准标记的方法包含在晶圆的第一表面区中蚀刻凹槽。在晶圆的第二表面区中形成装置结构。在晶圆的第一表面上沉积介电层并填充凹槽。进行第一平坦化程序以平坦化介电层。在第一平坦化程序之后，对晶圆的第二表面区上的装置结构进行第二平坦化程序。
本发明授权对准标记的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种对准标记的制作方法，其特征在于，该方法包含：在一晶圆的一第一表面的一第一区中形成一凹槽，该第一区指定用于一对准标记，且该凹槽向下延伸穿透该晶圆的一基板上的一第一层；在该晶圆的该第一表面的一第二区中形成一装置结构，该装置结构延伸于该第一层中；在该晶圆的该第一表面上沉积一第二层，该第二层填充于该凹槽中，且至少横向地邻近于该装置结构；进行一第一平坦化程序以去除该第二层中邻近该凹槽的一部分至该第一层上的一第一位准，并同时将该装置结构保留于该第一层中；在该第一平坦化程序之后，用氧电浆处理该第二层；以及在用氧电浆处理该第二层之后，进行一第二平坦化程序以将该装置结构去除至该第一层上的一第二位准。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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