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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利降低电压的发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110856930.7，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权降低电压的发光二极管芯片及其制备方法是由陶刚;李俊生;胡根水;孙虎设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低电压的发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了降低电压的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延片中的覆盖电流阻挡层的复合透明导电层包括依次层叠的第一透明导电子层与第二透明导电子层。第一透明导电子层覆盖电流阻挡层所有表面，第一透明导电子层具有与衬底的表面平行的第一表面，第二透明导电子层在衬底的表面的正投影的外轮廓与电流阻挡层在衬底的表面的正投影的外轮廓重合，电流的传递整体较为均匀。第二透明导电子层与p电极连通，形成良好的欧姆接触的同时实现电流的良好传导。电流整体遇到的体电阻降低，发光二极管外延片整体所需的电压则得到降低，出光率提高，亮度也得到提高。

本发明授权降低电压的发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低电压的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括n电极、p电极与外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层、p型层、电流阻挡层与复合透明导电层，所述电流阻挡层在所述衬底的表面的正投影小于所述p型层在所述衬底的表面的正投影，所述电流阻挡层包括依次层叠在所述p型层上的第一电流阻挡子层与第二电流阻挡子层，所述第一电流阻挡子层的密度小于所述第二电流阻挡子层的密度，所述第一电流阻挡子层的厚度与第二电流阻挡子层的厚度之比为1:1～5:1，并且所述第一电流阻挡子层的厚度为所述第二电流阻挡子层的厚度为所述复合透明导电层包括依次层叠的第一透明导电子层与第二透明导电子层，所述第一透明导电子层覆盖所述电流阻挡层所有表面，所述第一透明导电子层具有与所述衬底的表面平行的第一表面，所述第二透明导电子层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓与所述电流阻挡层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓重合，所述第一透明导电子层生长的气体环境为空气环境，所述第二透明导电子层生长的气体环境为包括氧气和氮气的环境，并且所述第二透明导电子层生长的气体环境中的氧含量小于所述第一透明导电子层生长的气体环境中的氧含量，所述n电极与所述n型层连通，所述p电极与所述第二透明导电子层连通。

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