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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110701449.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成电路及其形成方法是由程仲良设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体工艺系统蚀刻位于半导体晶圆上的栅极金属。半导体工艺系统包括基于机器学习的分析模型。分析模型动态地选择用于蚀刻工艺的工艺条件。然后，工艺系统将选择的工艺条件数据用于下一个蚀刻工艺。本申请的实施例提供了集成电路及其形成方法。

本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：层间介电层；第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一沟槽，形成在所述层间介电层中；栅极电介质，设置在所述第一沟槽的侧壁上以及所述第一沟槽的底部上，第一栅电极，所述第一栅电极包括：第一栅极金属，设置在所述第一沟槽底部处的所述栅极电介质上，其中，所述第一栅极金属具有仅在所述栅极电介质的位于所述第一沟槽的侧壁上的部分之间且在所述第一沟槽底部上延伸的平坦顶表面，以及导电栅极填充材料，设置在所述第一沟槽中的所述第一栅极金属上方；其中，所述导电栅极填充材料在所述第一沟槽内比所述第一栅极金属延伸至更高的垂直水平，其中，所述栅极电介质在所述第一沟槽内延伸到与所述导电栅极填充材料相同的垂直水平；第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二沟槽，形成在所述层间介电层中；所述栅极电介质，设置在所述第二沟槽的侧壁上和所述第二沟槽的底部上；第二栅电极，包括设置在所述栅极电介质上面的所述第二沟槽中的所述导电栅极填充材料，与设置在所述第一沟槽的底部的所述第一晶体管的所述导电栅极填充材料相比，所述第二晶体管的所述导电栅极填充材料设置为更靠近所述第二沟槽的底部，所述第二栅电极不包括位于所述第二沟槽底部的且位于所述第二沟槽底部和所述导电栅极填充材料之间的所述第一栅极金属。

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