恭喜台湾积体电路制造股份有限公司沙哈吉·B·摩尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110540743.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由沙哈吉·B·摩尔设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件包括：半导体纳米结构，设置在衬底上方；源极漏极外延层，与半导体纳米结构接触；栅极介电层，设置在半导体纳米结构的每个沟道区域上并且包裹半导体纳米结构的每个沟道区域；栅电极层，设置在栅极介电层上并且包裹每个沟道区域；以及绝缘间隔件，分别设置在间隔中。间隔由相邻的半导体纳米结构、栅电极层和源极漏极区域限定。源极漏极外延层包括具有不同Ge含量的多个掺杂的SiGe层，并且源极漏极外延层中的至少一个是未掺杂的SiGe或Si。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成其中交替堆叠第一半导体层和第二半导体层的鳍结构；在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻所述鳍结构的未由所述牺牲栅极结构覆盖的源极漏极区域，从而形成源极漏极间隔；在所述源极漏极间隔的底部处形成基底外延层；以及在所述基底外延层上形成源极漏极外延层，其中，所述基底外延层包括未掺杂的半导体材料，其中，所述第二半导体层由硅锗制成，以及形成所述源极漏极外延层包括：在所述基底外延层上形成由硅锗制成的第一外延层，并且所述第一外延层的锗含量与所述第二半导体层的锗含量相等；在所述第一外延层上形成具有比所述第一外延层高的锗含量的第二外延层；和在所述第二外延层上形成具有比所述第二外延层低的锗含量的第三外延层。
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