恭喜美光科技公司胡怡获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113690244B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110534322.4,技术领域涉及:H10B43/35;该发明授权包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法是由胡怡;K·W·汤设计研发完成,并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法在说明书摘要公布了:本申请涉及包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法。一种微电子装置包括堆叠结构,所述堆叠结构包括以层布置的交替导电结构和绝缘结构,所述层中的每一个个别地包括导电结构和绝缘结构;存储器单元串,其垂直延伸穿过所述堆叠结构,所述存储器单元串包括垂直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料;另一堆叠结构,其垂直覆盖于所述堆叠结构上且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级,所述另一堆叠结构包括垂直覆盖于所述存储器单元串上的支柱,每一支柱包括与所述存储器单元串的所述沟道材料电气连通的另一沟道材料;及导电触点结构,其垂直覆盖于所述另一堆叠结构上。
本发明授权包含触点结构的微电子装置,以及相关电子系统和方法在权利要求书中公布了:1.一种微电子装置,其包括:堆叠结构,其包括以层布置的交替导电结构和绝缘结构,所述层中的每一个个别地包括导电结构和绝缘结构,所述导电结构个别地与导电衬垫材料接触;存储器单元串,其垂直延伸穿过所述堆叠结构,所述存储器单元串包括垂直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料;另一堆叠结构,其垂直地覆盖于所述堆叠结构上且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级,所述其它导电结构直接接触所述其它绝缘结构,所述另一堆叠结构包括垂直地覆盖于所述存储器单元串上的支柱,每一支柱包括与所述存储器单元串的所述沟道材料电气连通的另一沟道材料;导电触点结构,其垂直地覆盖于所述另一堆叠结构上,每一导电触点结构包括至少部分延伸到所述支柱中的导电触点和延伸到所述支柱外部的具有比所述支柱大的横截面积的部分;以及导电线,其垂直位于所述导电触点结构上,且与所述导电触点结构电气连通。
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