恭喜意法半导体(克洛尔2)公司B·罗德里格斯·冈卡尔维斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利包括电荷存储区的像素电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110472524.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权包括电荷存储区的像素电路是由B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;F·拉兰尼设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括电荷存储区的像素电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及包括电荷存储区的像素电路。像素电路包括光转化区、绝缘的垂直电极以及至少一个电荷存储区。光转化区属于半导体衬底的第一部分，并且每个电荷存储区属于衬底的第二部分，该第二部分通过绝缘的垂直电极与衬底的第一部分物理分离。
本发明授权包括电荷存储区的像素电路在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，包括：光转化区；绝缘的垂直电极；以及至少一个电荷存储区；其中所述光转化区属于半导体衬底的第一部分；以及其中每个电荷存储区属于所述半导体衬底的第二部分，所述第二部分通过所述绝缘的垂直电极与所述半导体衬底的所述第一部分物理分离；其中所述绝缘的垂直电极从所述半导体衬底的第一面穿过所述半导体衬底，针对每个电荷存储区，所述像素电路还包括：第一掺杂区，与在所述第二部分中的所述电荷存储区接触；第二掺杂区，在所述第一部分中；栅极，放置在所述光转化区与所述第二掺杂区之间的所述半导体衬底的所述第一面上；以及电连接件，在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；其中所述绝缘的垂直电极被配置为针对每个电荷存储区，将包括所述光转化区和所述第二掺杂区的所述半导体衬底的所述第一部分与包括所述电荷存储区和所述第一掺杂区的所述半导体衬底的所述第二部分电绝缘并且光学绝缘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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