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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利集成有无源器件的基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000864.1，技术领域涉及：H01F41/04；该发明授权集成有无源器件的基板及其制备方法是由车春城;刘锋;肖月磊;李月;杜国琛;曹雪;吴艺凡;常文博设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成有无源器件的基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种集成有无源器件的基板及其制备方法，属于射频器件技术领域。本公开的集成有无源器件的基板的制备方法，其包括：提供一透明介质层，所述第一透明介质层具有第一连接过孔；所述透明介质层包括沿厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；在所述透明介质层上集成无源器件；所述无源器件至少包括电感；其中，在所述透明介质层上集成所述无源器件包括：在所述透明介质层的第一表面形成第一子结构，在所述第二表面形成第二子结构，并在所述第一连接过孔内形成第一连接电极；所述第一子结构、所述第一连接电极和所述第二子结构连接形成电感的线圈结构。

本发明授权集成有无源器件的基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成有无源器件的基板的制备方法，其包括：提供一透明介质层，所述透明介质层具有第一连接过孔；所述透明介质层包括沿厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；在所述透明介质层上集成无源器件；所述无源器件包括电感和电容；其中，在所述透明介质层上集成所述无源器件包括：在所述透明介质层的第一表面形成第一子结构；在所述第二表面形成第二子结构，并在所述第一连接过孔内形成第一连接电极；所述第一子结构、所述第一连接电极和所述第二子结构连接形成电感的线圈结构；所述第二子结构包括沿背离所述第二表面依次设置的第一导电膜层和第二导电膜层；通过构图工艺，在所述第二表面形成包括所述电容的第一极板的图形；在所述电容的第一极板背离所述透明介质层的一侧形成第一层间介质层；通过构图工艺，在所述第一层间介质层背离所述述透明介质层的一侧形成包括所述电容的第二极板的图形；在所述电容的第二极板背离所述透明介质层的一侧形成第二层间介质层，并形成贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质层的第二连接过孔；所述第二导电膜层形成在所述第二层间介质层背离所述透明介质层的一侧，且通过第二连接过孔与所述第一导电膜层连接。

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