恭喜长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210046764.9，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权三维存储器及其制备方法是由吴林春;张坤;周文犀设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上依次形成第二刻蚀停止层以及叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的沟道孔，并在沟道孔的内壁依次形成功能层和沟道层，以形成沟道结构；刻蚀衬底和功能层的延伸至衬底的部分至第二刻蚀停止层，以暴露沟道层的延伸至衬底的部分；以及在第二刻蚀停止层的远离叠层结构的一侧形成源极层，以覆盖暴露的沟道层的延伸至衬底的部分。该三维存储器的制备方法有助于控制去除衬底过程中的工艺均匀性，并确保暴露的沟道层的均匀性，有利于改善制备完成后的三维存储器的电气性能。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.三维存储器，其特征在于，包括：源极层；叠层结构，位于所述源极层的一侧，包括交替叠置的栅极介质层和栅极层；以及沟道结构，贯穿所述叠层结构并延伸至所述源极层，所述沟道结构包括：电介质芯部；在所述电介质芯部的外壁形成的沟道层；以及在所述沟道层的贯穿所述叠层结构的部分上形成的功能层；其中，所述源极层包围所述沟道层的从所述叠层结构延伸至所述源极层的部分，以使所述源极层与所述沟道层的从所述叠层结构延伸至所述源极层的部分相接触，并且所述源极层对应于所述沟道结构的部分突出于所述源极层对应于所述叠层结构的部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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