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龙图腾网恭喜北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司申请的专利一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112966459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110227655.2，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法及装置是由王群勇;白桦;孙旭朋设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法及装置。其中，该方法包括：确定SRAM型FPGA中可配置逻辑单元和块存储器内各模块的存储资源数据、对应的刷新周期以及对应的单位数据翻转率；在同一存储单元的三路中同时出现两路错误的单粒子防护效能情况下，基于不同的算法模型分别得到所述块存储器部位错误导致的错误率、所述自刷新器错误导致的错误率以及所述表决器错误导致的错误率；基于所述块存储器部位错误导致的错误率、所述自刷新器错误导致的错误率以及所述表决器错误导致的错误率，得到块存储器错误率定量评估结果。采用本发明公开的方法，能够实现单粒子防护效能进行定量评估，提高资源使用和防护效果之间的优化配置效率和可靠性。

本发明授权一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法，其特征在于，包括：确定SRAM型FPGA中可配置逻辑单元和块存储器内各模块的存储资源数据、对应的刷新周期以及对应的单位数据翻转率；其中，所述存储资源数据包含第一类存储资源数据、第二类存储资源数据以及第三类存储资源数据；基于所述第一类存储资源数据、所述刷新周期、所述单位数据翻转率以及预设的第一块存储器错误率算法模型，得到所述块存储器部位错误导致的错误率；所述第一块存储器错误率算法模型对应的算法表达式为： 其中，λb为块存储器对应的单位数据翻转率；tb块存储器对应的刷新周期；Mb为块存储器模块所用的存储资源数据；基于所述第二类存储资源数据、所述刷新周期、所述单位数据翻转率以及预设的第二块存储器错误率算法模型，得到自刷新器错误导致的错误率；所述第二块存储器错误率算法模型对应的算法表达式为：Mcac＝Mcom+MAdd+MCEN 其中，λc为可配置逻辑单元对应的单位数据翻转率；tc可配置逻辑单元对应的刷新周期；Mcom为比较器模块所用的存储资源数据；MAdd为地址发生器模块所用的存储资源数据；MCEN为地址使能器模块所用的存储资源数据；Mcac为自刷新器所用的存储资源数据；基于所述第三类存储资源数据、所述刷新周期、所述单位数据翻转率以及预设的第三块存储器错误率算法模型，得到表决器错误导致的错误率；所述第三块存储器错误率算法模型对应的算法表达式为： 其中，λc为可配置逻辑单元对应的单位数据翻转率；tc可配置逻辑单元对应的刷新周期；MVD为数据表决器模块所用的存储资源数据；基于所述块存储器部位错误导致的错误率、所述自刷新器错误导致的错误率以及所述表决器错误导致的错误率，得到块存储器错误率定量评估结果。

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