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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110220190.8，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由J·D·霍普金斯设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述存储器阵列包括导体层，其包括导体材料。所述存储器阵列包括各自在所述导体层正上方包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。所述导电层的最低者的传导材料直接抵靠所述导体层的所述导体材料。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块之间且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块。所述最低导电层中的所述传导材料直接抵靠所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料。导电材料具有与所述传导材料的成分不同的成分，且在所述传导材料上方并直接抵靠所述传导材料。公开了其它实施例，包含方法。

本发明授权包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导体材料的导体层；在所述导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠包括其间具有水平拉长的沟槽的横向间隔开的存储器块区，沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层，所述第一层的材料具有与所述第二层的成分不同的成分，所述第一层的最低者厚于其上方的所述第一层，紧接在所述最低第一层上方的所述第二层的第二层材料包括上部第一绝缘材料和在所述上部第一绝缘材料下的下部第二材料，所述下部第二材料具有与所述上部第一绝缘材料的成分不同的成分；选择性地相对于所述第二层材料各向同性地蚀刻所述第一层材料以在所述第一层中形成空隙空间；将传导材料沉积到所述沟槽中并沉积到所述第一层中的所述空隙空间中，所述传导材料填充在所述最低第一层上方的所述第一层中的所述空隙空间，所述传导材料不完全填充所述最低第一层中的所述空隙空间；从所述最低第一层蚀刻所述传导材料；以及在蚀刻所述传导材料之后，在紧接在所述最低第一层上方的所述第二层中的所述下部第二材料下将导电材料沉积到所述最低第一层的所述空隙空间中，所述导电材料将所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。

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