恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张旭凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011371841.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张旭凯;林耕竹;王菘豊;梁顺鑫;朱家宏设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例描述了一种用于形成无衬垫或无阻挡件的导电结构的方法。该方法包括在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上沉积电介质，蚀刻电介质和蚀刻停止层以形成暴露钴接触件的顶面的开口，以及蚀刻钴接触件的暴露的顶面在钴接触件中形成在蚀刻停止层下方横向延伸的凹槽。该方法还包括沉积钌金属以基本填充凹槽和开口，以及使钌金属退火以在钌金属和电介质之间形成氧化物层。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括：在设置在衬底上的钴接触件上沉积蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上沉积电介质；蚀刻所述电介质和所述蚀刻停止层以形成暴露所述钴接触件的顶面的开口；蚀刻所述钴接触件的暴露的顶面，以在所述钴接触件中形成凹槽，所述凹槽在所述蚀刻停止层下方横向延伸；沉积钌金属以填充所述凹槽和所述开口；以及使所述钌金属退火以沿着所述钌金属和所述电介质之间的界面将与所述电介质物理接触的所述钌金属的部分转化为导电氧化钌层，并且将沿着所述钌金属中的晶界的钴浓度限制为小于6原子百分数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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