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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011156414.5，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法是由张雪;应利良;任洁;王镇设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法，该结构包括：衬底；约瑟夫森隧道结，沿横向方向延伸形成于衬底的上表面，约瑟夫森隧道结自左向右包括第一电极、势垒层及第二电极；第一电极引出结构，与第一电极一体成形；第二电极引出结构，与第二电极一体成形。通过在衬底上沿横向方向即沿水平方向制备约瑟夫森隧道结的三层膜，从而形成沿横向延伸的约瑟夫森隧道结，结的尺寸大小不会受限于光刻极限的限制，薄膜厚度可作为结的一条边长，这将大幅缩减结面积；另外，由于三层膜结构分别制备，且其电极引出结构与对应的电极一体成型，减少了传统工艺中所需的绝缘层和配线层，简化了工艺流程，缩短了工艺周期，使工艺可控性提高。

本发明授权深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深亚微米约瑟夫森隧道结的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1提供一衬底，并于所述衬底的上表面形成第一超导材料层；2刻蚀去除部分所述第一超导材料层，保留的所述第一超导材料层作为所述约瑟夫森隧道结的第一电极及第一电极引出结构，其中，所述第一电极的刻蚀侧面与所述衬底之间的夹角呈锐角；3于步骤2所得到结构的表面形成绝缘层，并刻蚀去除覆盖在所述第一超导材料层及部分所述衬底上的所述绝缘层，保留所述第一超导材料层侧边的所述绝缘层，以形成所述约瑟夫森隧道结的势垒层；4于步骤3所得到结构的表面形成第二超导材料层，并刻蚀去除覆盖在所述第一超导材料层、所述绝缘层及部分所述衬底上的所述第二超导材料层，保留所述绝缘层侧边的所述第二超导材料层，且使保留的所述第二超导材料层作为所述约瑟夫森隧道结的第二电极及第二电极引出结构，从而形成沿横向延伸的所述约瑟夫森隧道结。

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