恭喜艾普凌科有限公司吉野英生获国家专利权
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龙图腾网恭喜艾普凌科有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011039277.7，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体装置及其制造方法是由吉野英生设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：MOSFET，其设于基板上的第1面，具有在上部形成有合金膜4a、5a的第1电极部；电阻元件，其设于比第1面高的位置的第2面，具有在上部形成有合金膜6c和覆盖一部分合金膜6c的氮化硅膜的第2电极部；BPSG膜，其设于MOSFET和电阻元件上；第1接触孔，其按照贯穿第1电极部上的BPSG膜并到达合金膜4a、5a的方式形成；第2接触孔，其按照贯穿第2电极部上的BPSG膜和氮化硅膜并到达合金膜6c的方式形成；以及金属布线，其埋入于第1接触孔和第2接触孔中。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，其具有：第1半导体元件，其设于基板上的第1面，具有在上部形成有第1金属硅化物膜的第1电极部；第2半导体元件，其设于比所述第1面高的位置的第2面，具有在上部形成有第2金属硅化物膜和覆盖一部分所述第2金属硅化物膜的氢供给膜的第2电极部；层间绝缘膜，其设于所述第1半导体元件和所述第2半导体元件上；第1接触孔，其按照贯穿所述第1电极部上的所述层间绝缘膜并到达所述第1金属硅化物膜的方式形成；第2接触孔，其按照贯穿所述第2电极部上的所述层间绝缘膜和所述氢供给膜并到达所述第2金属硅化物膜的方式形成；以及金属布线，其埋入于所述第1接触孔和所述第2接触孔中，所述第2半导体元件为由具有低浓度杂质区和高浓度杂质区的多晶硅膜形成的电阻元件，所述氢供给膜配设在离开所述低浓度杂质区的位置。
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