恭喜台湾积体电路制造股份有限公司游国丰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010981181.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权形成半导体器件的方法是由游国丰;蔡俊雄;陈建豪;王宏杏;许智育设计研发完成，并于2020-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种方法包括：分别在第一半导体区和第二半导体区上方形成第一栅极电介质和第二栅极电介质；沉积含镧层，该含镧层包括分别与第一栅极电介质和第二栅极电介质重叠的第一部分和第二部分；以及沉积硬掩模，硬掩模包括分别与含镧层的第一部分和第二部分重叠的第一部分和第二部分。该硬掩模不含钛和钽。该方法还包括形成图案化的蚀刻掩模以覆盖硬掩模的第一部分，其中硬掩模的第二部分暴露；去除硬掩模的第二部分和含镧层的第二部分；以及执行退火以将含镧层的第一部分中的镧驱入第一栅极电介质中。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
本发明授权形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：分别在第一半导体区和第二半导体区上方形成第一栅极电介质和第二栅极电介质；沉积含镧层，所述含镧层包括分别与所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质重叠的第一部分和第二部分；沉积硬掩模，所述硬掩模包括分别与所述含镧层的第一部分和第二部分重叠的第一部分和第二部分，其中，所述硬掩模不含钛和钽；形成图案化的蚀刻掩模以覆盖所述硬掩模的第一部分，其中，所述硬掩模的第二部分暴露；去除所述硬掩模的第二部分和所述含镧层的第二部分；以及执行退火以将所述含镧层的第一部分中的镧驱入所述第一栅极电介质中，其中，所述硬掩模为双层硬掩模，包括：第一子层，包括氮化铝、氧化铝或氧化锆；和第二子层，在所述第一子层上方，所述第二子层包含钨。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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