恭喜三星电子株式会社申东石获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010824227.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储器件是由申东石;金志永;安皓均;李灿旻;赵银珠;金熙中;慎重赞;安泰炫;崔贤根;黄有商;李基硕设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件在说明书摘要公布了：一种半导体存储器件包括：具有单元区域和接触区域的衬底，接触区域具有外围电路区域；在单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在外围电路区域上的第一外围晶体管。第一堆叠和第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在垂直方向上堆叠在单元区域上；位线，在垂直方向上堆叠在单元区域上并分别连接到半导体图案的第一端，每条位线在相对于衬底的上表面的水平方向上从单元区域延伸到接触区域；以及字线，与半导体图案相邻地设置并在垂直方向上从衬底的单元区域延伸。第一外围晶体管设置在第一堆叠的位线和第二堆叠的位线之间。
本发明授权半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括：具有单元区域和接触区域的衬底，所述接触区域包括外围电路区域；在所述衬底的所述单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在所述外围电路区域上的第一外围晶体管，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在相对于所述衬底的上表面的垂直方向上堆叠在所述单元区域上；位线，在所述垂直方向上堆叠在所述单元区域上并分别连接到所述半导体图案的第一端，每条所述位线在相对于所述衬底的所述上表面的水平方向上从所述单元区域延伸到所述接触区域；以及字线，与所述半导体图案相邻地设置并在所述垂直方向上从所述衬底的所述单元区域延伸，以及其中，所述第一外围晶体管设置在所述第一堆叠的所述位线和所述第二堆叠的所述位线之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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