恭喜无锡华润上华科技有限公司张文文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010748815.3，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的制备方法是由张文文;高箐遥;黄仁瑞设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供目标材料层；于所述目标材料层上表面形成第一掩膜层及第二掩膜层，所述第一掩膜层与所述第二掩膜层依次叠置于所述目标材料层上；基于所述第一掩膜层刻蚀所述第二掩膜层以形成第二开口图形，所述第二开口图形的侧壁为倾斜侧壁；基于所述第二掩膜层及所述第二开口图形刻蚀所述目标材料层。在基于第二掩膜层对目标材料层进行刻蚀的过程中，第二开口图形的倾斜侧壁会逐步回退，从而使得第二掩膜层下的目标材料层逐步裸露而被刻蚀，从而使得目标材料层各部分被刻蚀的程度不一致，在这种不一致下刻蚀所形成的目标材料层形貌呈一定的倾斜角度。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供目标材料层；于所述目标材料层上表面形成第一掩膜层及第二掩膜层，所述第二掩膜层位于所述目标材料层的上表面，所述第一掩膜层位于所述第二掩膜层的上表面，且所述第一掩膜层内形成有第一开口图形；基于所述第一掩膜层图形化所述第二掩膜层，以于所述第二掩膜层内形成第二开口图形，所述第二开口图形的侧壁为倾斜侧壁，且所述第二开口图形的底部宽度小于所述第二开口图形的顶部宽度；基于图形化后的所述第二掩膜层刻蚀所述目标材料层，以于所述目标材料层内形成沟槽；基于所述第二掩膜层及所述第二开口图形刻蚀所述目标材料层以形成沟槽，于前一步骤中形成的所述第二开口图形的底部宽度大小小于所述沟槽的顶部宽度大小；所述第二掩膜层包括多晶硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡华润上华科技有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号