恭喜康耐威(苏州)半导体科技有限公司方国银获国家专利权
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龙图腾网恭喜康耐威(苏州)半导体科技有限公司申请的专利用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111745253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010735952.3，技术领域涉及：B23K3/04；该发明授权用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置及方法是由方国银设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置及方法，本发明的焊锡装置包括分别位于基板两侧的第一加热部和第二加热部，其在进行锡膏融化时能实现分阶段加热，在第一加热阶段，第二加热部的加热温度小于锡膏的融化温度，第一加热部的加热温度不小于锡膏的融化温度，在第二加热阶段，第一加热部和第二加热部的加热温度均超过锡膏的融化温度。第一加热部为加热板，第二加热部为热风加热部，第二加热部位于基板的设置有待融化的锡膏的一侧。本发明的焊锡装置还包括能对热风加热部的热风进行降温的冷却部。利用本发明的焊锡装置，能使锡膏从底部向外逐步融化，从而将气泡排出焊点外，因而，有效减少了锡膏中的气泡并能形成良好的焊点。
本发明授权用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，用于将焊接元件与基板间锡焊连接，其特征在于，包括分别位于基板下侧的第一加热部和位于基板上侧的第二加热部，所述装置在进行锡膏融化时能实现分阶段加热，在第一加热阶段，所述第二加热部的加热温度小于锡膏的融化温度，所述第一加热部的加热温度不小于锡膏的融化温度，在第二加热阶段，所述第一加热部和所述第二加热部的加热温度均超过锡膏的融化温度，所述第二加热部为热风加热部，所述热风加热部包括朝向锡膏设置的若干热风喷嘴，环绕每个所述热风喷嘴还设置有至少一个回风孔，还包括与所述回风孔相连通的负压管道，还包括能对热风加热部的热风进行降温的冷却部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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