恭喜半导体元件工业有限责任公司克里夫·德劳利获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利利用选择性区域生长来制造基准点的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010694725.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权利用选择性区域生长来制造基准点的方法和系统是由克里夫·德劳利;雷·米拉诺;罗伯特·劳斯;苏巴什·皮达帕蒂;安德鲁·P·爱德华兹设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用选择性区域生长来制造基准点的方法和系统在说明书摘要公布了：一种形成对准标记的方法，包括：提供具有器件区和对准标记区的III‑V族化合物衬底；形成硬掩模层，所述硬掩模层具有在所述对准标记区上的暴露所述III‑V族化合物衬底的第一表面部分的第一组开口以及具有在所述器件区上的暴露所述III‑V族化合物衬底的第二表面部分的第二组开口；利用作为掩模的所述硬掩模层，蚀刻暴露的III‑V族化合物衬底的表面，以形成多个沟槽；以及在沟槽中外延再生长半导体层，以在所述III‑V族化合物衬底的处理表面的上方形成延伸至预定高度的对准标记。
本发明授权利用选择性区域生长来制造基准点的方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种形成对准标记的方法，所述方法包括：提供具有器件区和对准标记区的III-V族化合物衬底，其中所述III-V族化合物衬底由处理表面表征；形成硬掩模层，所述硬掩模层具有在所述对准标记区上的暴露所述III-V族化合物衬底的所述处理表面的第一表面部分的第一组开口以及具有在所述器件区上的暴露所述III-V族化合物衬底的所述处理表面的第二表面部分的第二组开口；利用作为掩模的所述硬掩模层，蚀刻所述III-V族化合物衬底的所述第一表面部分和所述第二表面部分，以形成多个沟槽；以及在未去除所述硬掩模层的情况下，在所述沟槽中外延再生长半导体层以形成对准标记，其中所述对准标记中的每一个在所述III-V族化合物衬底的所述处理表面的上方延伸至预定高度的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人半导体元件工业有限责任公司，其通讯地址为：美国亚利桑那州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号