恭喜爱思开海力士有限公司安庆勋获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010672620.5，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权半导体存储器装置是由安庆勋设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种半导体存储器装置包括：逻辑电路，其设置在具有单元区域和单元区域外部的外围区域的基板上；源极板，其被限定在逻辑电路上方；狭缝，其将源极板分成在单元区域中的单元源极板和在外围区域中的虚设源极板；以及存储器单元阵列，其被限定在单元源极板上。虚设源极板保持在恒定电压，而与存储器单元阵列和逻辑电路的操作无关。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：逻辑电路，所述逻辑电路被设置在基板上，所述基板具有单元区域和所述单元区域外部的外围区域；源极板，所述源极板被限定在所述逻辑电路上方；狭缝，所述狭缝将所述源极板分成在所述单元区域中的单元源极板和在所述外围区域中的虚设源极板；以及存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被限定在所述单元源极板上，其中，所述虚设源极板保持在恒定电压，而与所述存储器单元阵列和所述逻辑电路的操作无关。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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