恭喜长鑫存储技术有限公司刘曦光获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010610934.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及半导体器件的形成方法是由刘曦光设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及半导体器件的形成方法，能够解决金属钨填充至所述接触窗或接触口内时出现的孔洞问题。所述半导体器件的形成方法，包括以下步骤：S11提供衬底；S12在所述衬底上表面形成阻挡层，且所述阻挡层的晶向中，111晶向的占比至少为一预设值；S13在所述阻挡层上表面形成金属材料层，所述金属材料层的晶向包括111晶向。
本发明授权半导体器件及半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上表面形成阻挡层，且所述阻挡层的晶向中，111晶向的占比至少为一预设值；在所述阻挡层上表面形成金属材料层，所述金属材料层的晶向包括111晶向；所述预设值至少为70％；所述金属材料层包括钨层，且在所述阻挡层上表面形成所述金属材料层时，包括以下步骤：在所述阻挡层上表面形成反应离子层；向所述反应离子层上方通入含钨气体，所述含钨气体与所述反应离子层反应，在所述阻挡层表面形成钨晶核层；向所述钨晶核层上方通入含钨气体和载气，以形成所述金属材料层；所述反应离子层为硼离子层，在所述阻挡层上表面形成硼离子层时，包括以下步骤：向所述阻挡层上方通入含硼气体进行较长时间的浸润，形成所述硼离子层，所述硼离子层的厚度为0.1nm至5nm；所述含钨气体包括六氟化钨，所述含硼气体包括B2H6，所述载气包括H2、Ar以及N2中的至少一种。
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