买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体封装件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010602527.7，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体封装件及其制造方法是由李赞瑄设计研发完成，并于2020-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开半导体封装件及其制造方法。在包括芯片区域和划线道区域的半导体基板上形成第一重分布层图案和第二重分布层图案，以分别提供接合焊盘部分和边缘焊盘部分。聚合物图案形成为显露接合焊盘部分和边缘焊盘部分的一部分。在划线道区域上设置切片线。沿着切片线执行隐形切片工艺，以将包括接合焊盘部分的半导体芯片从半导体基板分离。半导体芯片设置在封装基板上。接合布线形成为将接合焊盘部分连接至接合指。接合布线由聚合物图案的边缘支撑以与边缘焊盘部分的暴露部分间隔开。

本发明授权半导体封装件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体封装件的方法，该方法包括以下步骤：制备半导体基板，所述半导体基板包括设置有第一焊盘的芯片区域和设置有第二焊盘的划线道区域，其中，所述划线道区域围绕所述芯片区域；在所述半导体基板上形成介电层以显露所述第一焊盘和所述第二焊盘；在所述介电层上形成连接至所述第一焊盘的第一重分布层图案和连接到所述第二焊盘的第二重分布层图案，其中，所述第一重分布层图案延伸以提供接合焊盘部分并且所述第二重分布层图案延伸以提供位于所述划线道区域上的边缘焊盘部分；形成覆盖所述第一重分布层图案和所述第二重分布层图案的聚合物图案，其中，所述聚合物图案形成为显露所述接合焊盘部分和边界区域，所述边界区域包括所述介电层的在所述划线道区域上的一部分和所述边缘焊盘部分的一部分；在所述边界区域中设置切片线，所述切片线延伸以围绕所述芯片区域；沿着所述切片线执行隐形切片工艺以将包括所述芯片区域和所述边界区域的一部分的半导体芯片从所述半导体基板分离；将所述半导体芯片设置在包括接合指的封装基板上；以及形成接合布线，所述接合布线的一部分由所述聚合物图案的边缘支撑以与所述边缘焊盘部分的露出部分间隔开，其中，所述聚合物图案的所述边缘与所述边缘焊盘部分的所述露出部分直接接触，并且其中，所述接合布线形成为将所述接合焊盘部分连接至所述接合指。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。