恭喜日东电工株式会社竹下翔也获国家专利权
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龙图腾网恭喜日东电工株式会社申请的专利结晶化铟锡复合氧化物膜、透明导电性薄膜及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114040842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080046631.0，技术领域涉及：B32B9/00；该发明授权结晶化铟锡复合氧化物膜、透明导电性薄膜及其制造方法是由竹下翔也;安藤豪彦设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本结晶化铟锡复合氧化物膜、透明导电性薄膜及其制造方法在说明书摘要公布了：结晶化铟锡复合氧化物膜1具有35nm以上的厚度。结晶化铟锡复合氧化物膜1含有平均粒径为110nm以上的晶粒。
本发明授权结晶化铟锡复合氧化物膜、透明导电性薄膜及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，具备：透明薄膜基材、和配置于所述透明薄膜基材的厚度方向一个面的结晶化铟锡复合氧化物膜，所述透明薄膜基材的所述厚度方向一个面具有1.0nm以下的算术平均粗糙度Ra，所述结晶化铟锡复合氧化物膜具有35nm以上的厚度，所述结晶化铟锡复合氧化物膜含有平均粒径为110nm以上的晶粒。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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