恭喜英飞凌科技奥地利有限公司安东·毛德获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010396909.9，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法是由安东·毛德;托马斯·基默;沃尔夫冈·拉贝格;米蒂亚·勒贝克设计研发完成，并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法在说明书摘要公布了：公开了一种功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法。提出了一种封装集成的功率半导体装置，其包括耦接至电流路径的至少一个功率晶体管、电流测量装置以及封装件。电流测量装置与电流路径电绝缘并且磁耦接至电流路径。电流路径和电流测量装置被布置成使得电流测量装置能够感测流过电流路径的电流的磁场。功率晶体管、电流测量装置和电流路径被布置在封装件内部。此外，提出了一种包括封装集成的功率半导体装置的功率模块组件以及操作封装集成的功率半导体装置的方法。
本发明授权功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法在权利要求书中公布了：1.一种封装集成的功率半导体装置，包括：耦接至电流路径的至少一个功率晶体管；电流测量装置；横向形成在所述电流测量装置与所述电流路径之间的至少一个间隙；以及封装件，其中，所述电流测量装置与所述电流路径电绝缘并且磁耦接至所述电流路径，其中，所述电流路径和所述电流测量装置被布置成使得所述电流测量装置能够感测流过所述电流路径的电流的磁场，其中，所述至少一个功率晶体管、所述电流测量装置和所述电流路径被布置在所述封装件内部，其中，所述封装件包括设置在所述至少一个功率晶体管、所述电流测量装置和所述电流路径上的电绝缘的模料，其中，所述电绝缘的模料在所述电流测量装置与所述电流路径之间提供电绝缘，以及其中，所述电绝缘的模料填充在所述电流测量装置与所述电流路径之间的所述至少一个间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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