恭喜三星电子株式会社姜炳在获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111490095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010049972.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法是由姜炳在;金允贞;梁世敏;李气范设计研发完成，并于2020-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了一种制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法，包括：在具有由器件隔离膜限定的多个有源区的衬底中形成多个栅极沟槽，多个栅极沟槽与多个有源区交叉并沿第一水平方向彼此平行地延伸；在衬底的暴露表面上选择性地形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层和器件隔离膜两者的暴露表面上形成第二栅极绝缘层；以及通过部分地去除第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层来形成多个栅极绝缘层，并形成多个掩埋栅电极。
本发明授权制造具有掩埋栅电极的半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成多个栅极沟槽，所述衬底具有由器件隔离膜限定的多个有源区，所述多个栅极沟槽与所述多个有源区交叉并且在第一水平方向上延伸以彼此平行；在所述衬底的暴露表面上选择性地形成第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层和所述器件隔离膜两者的暴露表面上形成第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度；通过部分地去除所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层来形成多个栅极绝缘层；以及形成多个掩埋栅电极，其中，所述多个栅极绝缘层分别覆盖所述多个栅极沟槽的下部的侧表面和底表面，其中，所述多个掩埋栅电极分别布置在所述多个栅极绝缘层上，以填充所述多个栅极沟槽的下部，并且其中，所述多个掩埋栅电极中的每一个包括基部和突起，所述基部在所述第一水平方向上延伸并且在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上具有恒定的宽度，并且所述突起在所述第二水平方向上从所述基部突出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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