恭喜浜松光子学株式会社井上直获国家专利权
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龙图腾网恭喜浜松光子学株式会社申请的专利半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112930586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980071653.X，技术领域涉及：H01L21/3205；该发明授权半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构是由井上直;伊藤穣;田中豪;饭间敦矢;铃木大几;柴山胜己设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构在说明书摘要公布了：根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。
本发明授权半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包含：第一工序，通过对半导体基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的凹部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对所述凹部的所述侧面进行的亲水化处理及对所述凹部进行的脱气处理中的至少一者；以及第三工序，在所述凹部的所述底面存在的状态下，通过进行各向异性的湿法蚀刻，去除在所述凹部的所述侧面形成的所述波纹，并使所述侧面平坦化，所述第一工序中，在所述凹部的所述侧面形成保护膜，在所述第二工序前，除去所述保护膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浜松光子学株式会社，其通讯地址为：日本静冈县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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