恭喜索尼半导体解决方案公司大浦雅史获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像元件和电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112913024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980070784.6,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权摄像元件和电子设备是由大浦雅史;幸山裕亮设计研发完成,并于2019-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像元件和电子设备在说明书摘要公布了:本技术涉及能够增加饱和电荷量的摄像元件和电子设备。该摄像元件包括:基板;第一光电转换区域,其设置在基板中;第二光电转换区域,其设置在基板中,第二光电转换区域与第一光电转换区域相邻;像素分离部,其设置在基板中,并且设置在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间;和接合区域,其设置在像素分离部的侧壁中,接合区域具有包含第一杂质的第一杂质区域和包含第二杂质的第二杂质区域。形成在像素分离部的侧壁中的第一杂质区域的侧边的长度大于像素分离部的两个平行侧边之间的长度,第一杂质区域的侧边与包围第一光电转换区域的像素分离部的四个侧边中的两个平行侧边垂直地相交。本技术适用于例如摄像装置。
本发明授权摄像元件和电子设备在权利要求书中公布了:1.一种摄像元件,其包括:基板;第一光电转换区域,其设置在所述基板中;第二光电转换区域,其设置在所述基板中,所述第二光电转换区域与所述第一光电转换区域相邻;像素分离部,其设置在所述基板中,并且设置在所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间;和接合区域,其设置在所述像素分离部的侧壁中,所述接合区域具有包含第一杂质的第一杂质区域和包含第二杂质的第二杂质区域,其中,形成在所述像素分离部的所述侧壁中的所述第一杂质区域的侧边的长度大于包围所述第一光电转换区域的所述像素分离部的四个侧边中的所述像素分离部的两个平行侧边之间的长度,所述第一杂质区域的侧边与所述像素分离部的所述两个平行侧边垂直地相交,其中,所述像素分离部包括突出部,并且,所述突出部的尖端面对着传输晶体管的栅极。
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