恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨宇滔获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路以及集成电路布局设计产生方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910924583.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成电路以及集成电路布局设计产生方法是由杨宇滔;周文昇;彭永州设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路以及集成电路布局设计产生方法在说明书摘要公布了：集成电路包括主动区，此主动区具有接合第一侧部分及第二侧部分的中心部分。具有在中心部分中的第一通道区域之一上方形成的栅极的第一晶体管具有第一阈值电压。具有在中心部分中的第二通道区域之一上方形成的栅极的第二晶体管具有第二阈值电压。具有在第一侧部分中的第三通道区域之一上方形成的栅极的第三晶体管具有第三阈值电压。具有在第二侧部分中的第四通道区域之一上方形成的栅极的第四晶体管具有第四阈值电压。第一阈值电压及第二阈值电压的第一平均值比第三阈值电压及第四阈值电压的第二平均值大预定阈值电压偏移。
本发明授权集成电路以及集成电路布局设计产生方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包含：一第一高阈值晶体管，具有一栅极，该栅极在一主动区的一高阈值部分中的一通道区域上方，以及一第一低阈值晶体管，具有一栅极，该栅极在一主动区的一低阈值部分中的一通道区域上方，其中该第一高阈值晶体管的该栅极与该第一低阈值晶体管的该栅极导电连接在一起，并且用以在一对应饱和区域中，操作各该第一高阈值晶体管及该第一低阈值晶体管，并且其中该第一高阈值晶体管的一漏极导电连接到该第一低阈值晶体管的一源极；以及其中该第一高阈值晶体管的一阈值电压大于该第一低阈值晶体管的一阈值电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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