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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910903394.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权功率半导体晶体管是由H-P.费尔斯尔;M.耶利内克;V.科马尼茨基;K.施拉姆尔;H-J.舒尔策设计研发完成，并于2019-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体晶体管在说明书摘要公布了：一种功率半导体晶体管（1）包括具有前侧（10‑1）和背侧（10‑2）的半导体主体（10），所述背侧（10‑2）具有背侧表面（10‑20），其中半导体主体（10）包括第一导电类型的漂移区（100）以及第一导电类型的场停止区（105），场停止区（105）被布置在漂移区（100）与背侧（10‑2）之间，并且在沿着从背侧（10‑2）指向前侧（10‑1）的竖直方向（Z）的横截面中包括第一导电类型的供体的浓度剖面，所述浓度剖面展现：在自背侧表面（10‑20）的第一距离（d1）处的第一局部最大值（1051）、与第一局部最大值相关联的半最大值处前部宽度（B）、以及与第一局部最大值（1051）相关联的半最大值处背部宽度（A），其中半最大值处前部宽度（B）小于半最大值处背部宽度（A），并且总计为第一距离（d1）的至少8%。

本发明授权功率半导体晶体管在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体晶体管1，包括具有前侧10-1和背侧10-2的半导体主体10，所述背侧10-2具有背侧表面10-20，其中半导体主体10包括第一导电类型的漂移区100以及第一导电类型的场停止区105，场停止区105被布置在漂移区100与背侧10-2之间，并且在沿着从背侧10-2指向前侧10-1的竖直方向Z的横截面中包括第一导电类型的供体的浓度剖面，所述浓度剖面展现：在自背侧表面10-20的第一距离d1处的第一局部最大值1051、与第一局部最大值1051相关联的半最大值处前部宽度B、以及与第一局部最大值1051相关联的半最大值处背部宽度A，其中半最大值处前部宽度B小于半最大值处背部宽度A，并且总计为第一距离d1的至少8％。

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