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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利DRAM存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112634955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910904496.8，技术领域涉及：G11C11/403；该发明授权DRAM存储器是由冀康灵;尚为兵;李红文设计研发完成，并于2019-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本DRAM存储器在说明书摘要公布了：一种DRAM存储器，包括：衬底；位于所述衬底上呈行列排布的若干存储库，每一个存储库在列方向上被分为三个存储块，所述每一个存储块中均具有呈行列排布的若干存储单元。通过将每一个存储库列方向上分为三个存储块，一方面，在每一个存储库容量一定的情况下，在列方向上将每一个存储库分为三个存储块，每一个存储块在行方向上的长度会变短，使得控制线路和数据传输线路到每一个存储块中的存储阵列中相应的存储单元的距离会变短，因而可以不需要很大的驱动，并且使得数据传输线路产生的寄生电阻和寄生电容减小，使得数据传输速率和数据传输准确性提升，降低功耗。

本发明授权DRAM存储器在权利要求书中公布了：1.一种DRAM存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上呈行列排布的若干存储库，每一个存储库在列方向上被分为三个存储块，每一个所述存储块中均具有呈行列排布的若干存储单元；第一行解码电路和第二行解码电路，与所述三个存储块电连接，用于为所述三个存储块中的所有存储单元进行行寻址；所述三个存储块包括在列方向上依次排布的第一存储块、第二存储块和第三存储块，所述第一行解码电路与所述第一存储块中所有的存储单元以及第二存储块中部分存储单元连接，用于对第一存储块在所有的存储单元以及第二存储块中部分存储单元进行行寻址，所述第二行解码电路与所述第三存储块在所有的存储单元以及第二存储块中部分存储单元连接，用于对第三存储块在所有的存储单元以及第二存储块中部分存储单元进行行寻址。

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