恭喜三星电子株式会社金沅槿获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装和制造半导体封装的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111092074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910873305.6，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装和制造半导体封装的方法是由金沅槿;吴琼硕;陈华日;金东宽;金永锡;金载春;黄承泰设计研发完成，并于2019-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装和制造半导体封装的方法在说明书摘要公布了：半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。
本发明授权半导体封装和制造半导体封装的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括：封装基板；第一半导体器件，布置在所述封装基板上；所述第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图观看部分地覆盖所述第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在所述第一半导体器件和所述至少一个第二半导体器件上，所述散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成；导电散热结构，由导电且导热材料形成，并且包括第一部分和第二部分，所述第一部分布置在所述第一半导体器件的未被所述至少一个第二半导体器件覆盖的部分上的所述散热绝缘层上，所述第二部分布置在所述至少一个第二半导体器件上的所述散热绝缘层上；以及所述封装基板上的模制层，覆盖所述第一半导体器件和所述至少一个第二半导体器件，其中，所述模制层不形成在所述导电散热结构的所述第二部分和所述至少一个第二半导体器件的顶表面之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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