恭喜台湾积体电路制造股份有限公司袁锋获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910851852.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权晶体管及其制造方法是由袁锋;何嘉政;王梓仲;李东颖;蔡劲;林铭祥设计研发完成，并于2019-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。
本发明授权晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，该晶体管包含：一基板；一介电层，位于该基板上；一第一鳍片，延伸自该基板、穿过该介电层并超过该介电层的一表面；一第二鳍片，延伸自该基板、穿过该介电层并超过该介电层的一表面；一第一间隙壁及一第二间隙壁，位于该第一鳍片上；一第三间隙壁及一第四间隙壁，位于该第二鳍片上；一第一栅极介电层，位于该介电层的该表面上与该第一鳍片的至少三侧上；一第二栅极介电层，位于该介电层的该表面上与该第二鳍片的至少三侧上；一铁电层，位于该第一栅极介电层上与该第一鳍片的该至少三侧上，该铁电层通过该第一栅极介电层而与该第一鳍片及该第一间隙壁及该第二间隙壁隔开，该铁电层具有小于或等于5纳米的一厚度；一高介电常数介电层，位于该第二栅极介电层上与该第二鳍片的该至少三侧上，该高介电常数介电层通过该第二栅极介电层而与该第二鳍片及该第三间隙壁及该第四间隙壁隔开；一第一栅电极，位于该铁电层上；以及一第二栅电极，位于该高介电常数介电层上。
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