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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910823776.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件及形成方法是由陈建;涂武涛;张翼英;张海洋设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，通过采用不同的工艺参数多次刻蚀牺牲层，以使所述第一凹槽和所述第二凹槽中的所述牺牲层的上表面的位置接近，避免了由于第一凹槽和第二凹槽中的牺牲层的尺寸不同导致的对所述牺牲层的刻蚀速率不同的情况，使得在后续工艺中作为去除隔离层的掩膜的牺牲层在第一凹槽和第二凹槽中的上表面的位置接近，进而可以确保在第一凹槽和第二凹槽中的隔离层的上表面位置接近。由此能够控制在第一凹槽和第二凹槽中形成的PMOS和NMOS的栅极结构承受的阈值电压保持在合理的范围，避免出现电压过大或者过低导致半导体器件失效，能够提高半导体器件的可靠性。

本发明授权一种半导体器件及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供前端器件层，所述前端器件层包括介质层，所述介质层中形成有多个第一凹槽和多个第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的侧壁和底面上形成有隔离层，所述第一凹槽中的侧壁上的隔离层之间的距离小于所述第二凹槽中的侧壁上的隔离层之间的距离；在所述隔离层上形成牺牲层，其中，所述第一凹槽的牺牲层高度高于所述第二凹槽中的所述牺牲层的高度；交替采用不同的工艺参数多次刻蚀所述牺牲层，使所述第一凹槽和所述第二凹槽中的所述牺牲层的上表面的高度接近；去除凹槽部分侧壁高度的预定区域隔离层，所述预定区域隔离层为所述隔离层中未被所述牺牲层覆盖的部分；其中，所述交替采用不同的工艺参数多次刻蚀所述牺牲层，使所述第一凹槽和所述第二凹槽中的所述牺牲层的上表面的高度接近，包括：在等离子体刻蚀工艺中，采用第一脉冲偏置电压刻蚀所述牺牲层，以使所述牺牲层的上表面低于所述隔离层的上表面；交替采用第二脉冲偏置电压和第三脉冲偏置电压多次刻蚀所述牺牲层。

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